鼓狮财经7月15日讯，据业内人士透露，三星电子计划在首尔南部的器兴半导体园区新建一座DRAM制造工厂。该项目规划月产能为10万片晶圆，总投资规模预计达数十万亿韩元，旨在紧抓人工智能（AI）存储器需求激增的市场机遇。
器兴园区自1983年运营以来，一直是韩国运营时间最长的半导体设施之一。1992年，该园区曾诞生全球首颗64Mb DRAM，开启了三星在半导体领域的辉煌篇章。近年来，该园区主要专注于8纳米等成熟工艺节点的生产。据悉，此次计划新建的工厂选址原为研发中心用地，这一调整被市场普遍解读为三星为应对AI基础设施投资热潮下持续攀升的存储芯片需求而做出的产能布局优化。
该项目最快可能于2026年第三季度正式动工。受此利好消息提振，三星电子周三（15日）股价大幅上涨超过6%。值得注意的是，2022年三星曾在园区内动工兴建名为NRD-K的大型研发中心（投资约20万亿韩元，预计2028年至2030年完工），此次新建的DRAM工厂则是在该研发中心之外，于园区另辟地块建设的生产设施。
从宏观战略来看，三星电子正同步在多个基地推进产能扩张。除了器兴园区，其平泽巨型园区是HBM（高带宽内存）的核心生产基地；全罗南道光州在建两座先进半导体晶圆厂，总投资高达400万亿韩元；京畿道龙仁半导体集群的首座晶圆厂投产时间也已提前至2029年。在HBM领域，三星正试图追赶目前占据优势的SK海力士，近期更在平泽P4工厂部署了一条月产能10万片晶圆的新产线，用于生产第六代HBM产品。