高盛发布深度研报指出，记忆体基本面极为强劲。当前，两大龙头2027年预估市盈率已跌至3.5倍至3.6倍的历史极低水平，重申三星与SK海力士“强力买进”评级。记忆体产业正由AI算力基础设施的爆发（HBM + eSSD）所驱动，进入超级周期。
1. 2027年HBM价格上行空间有多大？
高盛核心观点：预计2027年HBM平均售价将暴涨约100%。预期三星与SK海力士的HBM综合平均售价在2027年将接近2.9美元/Gb，同比分别大幅增长87%和100%。这主要得益于主要产品同规格价格上涨约60%，以及产品结构优化带来的贡献。
2. 长期供应协议（LTA）架构及利好？
LTA呈现出“期限更长、覆盖更广、波动更低、约束更强”的四大特征。主流合约期限为3至5年。三星采取“滚动式合约”，每年谈判延长一年，实际合约期可超过5年。三星透露已完成全球前五大数据中心客户的签约，多年度长协预计将覆盖其规划产能的60%至70%。
3. 关于“模组厂库存过高”的担忧是否成立？
事实并不成立。主要原厂与核心客户的库存状况极度健康。模组厂库存上升主要受智能手机和PC等消费电子产品需求疲软影响，但该类市场仅占整体记忆体市场的个位数百分比。反观原厂端，截至2026年第二季度，DRAM与NAND的库存水位仅为2至4周，远低于正常水准的4至5周，更远低于下行周期前的10周以上。
4. NAND Flash 是否正面临供过于求的转折点？
不会。企业级SSD需求强劲，足以完全抵消消费端的疲软。高盛预估，2026年至2028年企业级SSD需求将分别达到474EB、619EB和755EB，按年增幅高达66%、31%及22%。三大原厂的资本支出高度倾斜于DRAM及HBM，NAND扩产极度克制，主要依赖技术升级而非扩充晶圆产能。
5. 中国长鑫存储扩产是否会打破全球供需平衡？
影响极有限。长鑫存储的技术世代与韩国两家企业存在2至3代的显著差距，且面临地缘政治与极紫外光微影光刻机的封锁。长鑫出货的70%集中于旧款LPDDR4，而三星与SK海力士已有75%至85%转向LPDDR5。在技术制程上，CXMT主力仍在1z节点，而韩国双雄正由1a/1b迈向1c节点。
6. 韩国厂商将如何回应市场对“股东回报”的强烈呼声？
股东回馈具备显著的上修空间，潜在利好包括“回购＋注销”。高盛预期，三星今年每股派息将从市场共识的8638韩元上调至9500韩元。SK海力士的自由现金流爆发，2025年至2027年的股东回报亦有大幅上修空间。
7. SK海力士在美国上市ADR对韩国本土股票有何影响？
SK海力士ADR将长期保持溢价，并有助于折价的逐步消除。自7月10日上市以来，SK海力士ADR较韩股本土普通股持续享有26%至30%的溢价，主因是可转换额度限制（上限1.779亿份ADR，相当于1779万股普通股）以及投资人结构的不同。
8. SK海力士二季获利为何微幅低于预期？下半年趋势如何？
二季度仅因DRAM平均售价认列时差导致微幅落后，三季度起将迎来强劲反弹。二季度主因是DRAM平均售价按季增长29%（低于高盛预期的39%），这反映了早期锁定价格与HBM4升级过渡期的影响。预计2026年第三季度，在HBM4放量以及1c nm DRAM出货的带动下，DRAM位元出货量将按季增长10%，平均售价按季增长19%，单季营业利润将攀升至77万亿韩元。