《科创板日报》10月22日讯，据韩媒ETNews报道，行业知情人士透露，SK海力士近期正积极与国内外材料、零部件及设备等上游供应商接洽，旨在加速iHBM技术研发并推进量产进程。双方已就产品的实际应用场景及量产计划展开深入探讨。
iHBM是SK海力士推出的下一代高带宽内存技术，其核心目标在于降低发热量。这是SK海力士在竞争激烈的HBM市场中巩固领先地位的关键战略。SK海力士的一位合作伙伴高管表示：“SK海力士正在积极寻求与上游供应链企业的合作，将iHBM技术真正融入工艺流程，从而实现商业化落地。”他进一步补充道，SK海力士似乎已在同步评估量产可行性，并同步推进商业化进程。
随着人工智能算力需求的持续爆发，HBM技术正通过增加堆叠层数和提升运行速度来不断迭代升级，但这也带来了发热量剧增的挑战。因此，如何有效控制HBM与GPU物理互联通道产生的热量，已成为下一代HBM技术竞争的核心要素。iHBM技术于今年5月26日由SK海力士发布，其最大特点在于从结构层面根本性地解决了上述散热难题。
传统HBM主要依赖热量经由核心芯片向外传导的间接散热方式。而iHBM的核心创新在于，直接在热量最为集中的D2D PHY区域嵌入热控元件（ICE）——一种绝缘且高导热性的硅基材料，从而构建专用的热量排出通道。相比传统方案，该技术能使HBM热阻降低30%以上，并确保产品在高温和高负载环境下依然保持稳定运行。
SK海力士表示，该技术在量产可行性方面也具备显著优势。产品采用了市场验证成熟的先进MR-MUF晶圆级封装工艺，能够实现稳定的规模化量产。此外，该技术与客户现有的系统级封装环境高度兼容，客户无需进行大规模设计改动即可直接部署，从而有效降低了实际导入门槛。
SK海力士计划将iHBM技术应用于HBM5等下一代产品，以满足高性能计算和AI数据中心等场景对超高集成度和高带宽的严苛散热管控需求。根据其技术路线图，HBM5预计将于2029年发布。目前，SK海力士正利用台积电的先进封装技术CoWoS对HBM5进行验证。