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鼓狮财经8月19日讯（记者 张校毓）半导体设备行业景气度持续升温，中微公司今日晚间发布了2024年半年报。报告显示，公司上半年业绩大幅增长，同时宣布了一项高达35亿元的重大对外投资计划。
根据披露的数据，中微公司上半年实现营业收入66.91亿元，同比增长34.89%；归母净利润达到28.25亿元，同比激增300.22%；经营活动产生的现金流量净额为6.85亿元，同比增长237.39%。
业绩增长主要得益于主营业务规模扩大及投资收益贡献。财报指出，公司针对先进逻辑和存储器件制造中的关键刻蚀工艺高端产品，新增付运量显著提升，并在先进逻辑器件和存储器件的多种关键刻蚀工艺中实现了大规模量产。
值得注意的是，公司上半年归母净利润与扣非净利润之间存在约17.03亿元的差额，占净利润比重近六成。其中，公司出售了部分持有的拓荆科技股份有限公司股票，获得投资收益约9.53亿元。剔除该部分收益后，公司上半年扣非净利润约为11.23亿元，同比增加5.84亿元，增幅达108.36%。
作为技术驱动型企业，研发投入依然是中微公司的重中之重。今年上半年，公司研发投入20.41亿元，占营业收入比例约为30.51%；研发费用为13.10亿元，同比增加1.93亿元，增幅17.31%。
除了业绩报告，公司还同步披露了对外投资计划。公司全资子公司中微半导体（上海）有限公司拟在临港新片区投资建设中微临港产业化基地二期项目，计划总投资额为35亿元，其中固定资产投资17亿元。该项目聚焦刻蚀设备、量检测设备及薄膜沉积设备等核心产品，预计达产后可实现属地销售收入30亿元。项目资金将全部由中微临港自筹，主要用于土地购置、基地建设装修、研发投入、工位搭建及厂务配套等。
公司同时提示，该项目仍存在建设及市场不确定性。目前相关协议尚未最终签署，后续实施与运营中可能面临研发进度延迟、半导体市场需求波动以及行业竞争加剧等风险。
行业方面，随着高带宽内存（HBM）向HBM4及HBM4E演进，DRAM制程不断升级，3D NAND层数持续增加，先进存储单位产能对应的设备投资额同步提升。东吴证券研报指出，为满足高带宽、高堆叠及高良率要求，刻蚀、薄膜沉积、量检测等关键工艺的重要性进一步提高，设备数量及工艺复杂度随之增加。测算显示，薄膜、刻蚀及量测设备合计占存储设备资本开支超过50%，将充分受益于本轮存储扩产周期。