7月27日，知名科技媒体《The Information》爆料，ZG国家背景企业已成功开始批量生产浸没式深紫外（DUV）光刻机。
随后，彭博社、Tom’s Hardware、TechPowerUp、韩国《朝鲜商业》等权威媒体迅速进行了转载与跟进分析。
市场解读为打破了老牌半导体设备巨头的长期垄断预期，引发全球芯片制造设备板块惨烈抛售。
其中，ASML盘中一度跌超8%，东京电子和尼康均重挫超10%，韩国存储双雄被大幅抛售更是触发韩国熔断。
首先，这则传闻大概率属实。
报道明确指出，由上海御光盛科技牵头组装与小批量生产，整合了多家本土半导体设备研发团队联合攻关。
其中，准分子激光光源：由科益虹源/国科鑫光研发的高频高功率193nm ArF激光器；
高NA投影物镜：由长春光机所与国望光学联合研制，畸变控制达到纳米级；
超精密双工件台：清华团队与华卓精科演化而来的双工件台，实现高加速度下的无缝曝光同步；
浸没流体控制系统：解决高速喷射超纯水下的微气泡与热变形控制。
整机国产化率超过85%，但核心供应链中仍有少量非关键或特定零部件依赖进口（如日本的部分光学或材料部件）。
中芯国际自2025年9月起就开始对该款浸没式DUV样机进行厂内在线测试与工艺验证。
计划在2026年内完成首批约5台设备的交付，预计在2027年将年产能提升至约20台。
首批设备将定向提供给中芯国际、华虹半导体、长鑫存储。
所以，市场对之的反应，为什么这么大？
虽然根据TechPowerUp披露的对比数据，ASML在2025年交付了131台浸没式DUV光刻机；而国产设备2026年计划的5台，仅相当于ASML年出货量的3.8%。
这5台设备进入晶圆厂，主要使命是跑通流程和测试WPH。
从设备搬入到能够支撑90%以上良率的商业化生产，通常需要18到24个月的工艺适配期。
短期内的影响，并没有那么大。
但是，报道指出，该国产样机的套刻精度控制在2.5nm -3.5nm范畴，晶圆厂能通过SAQP（自对准四重图影）或LELELE（三次曝光刻蚀）工艺，辅助生产7nm甚至5nm级芯片。
这个精度足以支持长鑫进行17nm / 15nm级的核心电容器件与位线曝光。
而ASML过去几年在大陆部署了数百台DUV。
一旦本土能够自产浸没式DUV及其零部件，ASML不仅将失去未来每年数十亿欧元的增量，其高毛利的售后维保与升级服务收入也将面临长远侵蚀。
如果2026年内完成5台交付，2027年实现年产20台的承诺，长鑫的晶圆月产可能从当前的20万片/月涨至35-40万片/月。
届时，不仅DRAM可能出现产能过剩与价格战，也将打破老牌巨头对成熟DRAM与DDR4/LPDDR5的高价垄断，全球传统存储芯片的价格曲线可能在2027年面临下行压力。