《科创板日报》9月22日讯，佰维存储今日宣布启动晶圆级先进封测制造项目三期投资。根据公告，为顺应公司发展战略并把握市场机遇，佰维存储及其控股子公司广东芯成汉奇拟与东莞松山湖高新技术产业开发区管理委员会签署《晶圆级先进封测制造项目三期合作协议》。该项目总投资预计达45亿元人民币，其中固定资产投资40亿元，涵盖建筑物、构筑物及附属设施、设备等。资金来源为自有及自筹资金，不涉及募集资金。该事项已通过公司董事会审议，无需提交股东会审议。
随着半导体工艺逼近物理极限，先进封装已成为实现“超越摩尔定律”的关键路径。凭借小型化、轻薄化、低功耗及功能集成等优势，先进封装技术广泛应用于智能终端、高效能计算等新兴领域，是集成电路行业提升芯片性能的重要技术趋势。
佰维存储此前规划的一期及二期晶圆级先进封测制造项目累计投资30.9亿元，目前已顺利完工。截至目前，一期项目已完成厂房建设及设备安装调试；二期项目设备陆续进场，正处于客户送样、工艺验证及小批量试产阶段，尚未正式产生量产收益，对应2.5D月产能约3000片。根据规划，随着三期项目的推进，佰维存储预计2026年底晶圆级先进封测制造项目的月产能将达到5000片，2027年底进一步扩大至1万片，并计划于2026年底开始贡献收入。
广东芯成汉奇作为项目实施主体，已构建覆盖2.5D、RDL、Fan-in、Fan-out等多种先进封装技术的研发与制造能力。佰维存储规划了两条核心先进封装产品线，分别为应用于先进存储芯片的FOMS系列及先进存算合封的CMC系列。目前，其先进封装良率已稳定在95%以上，预计综合毛利率约为30%至40%。
除先进封装外，佰维存储在主控芯片领域亦有布局。其自研国产eMMC主控芯片已在多领域实现规模化量产交付；UFS主控芯片已完成回片验证，预计将于2026年下半年导入终端应用。此外，公司正布局小容量NAND Flash介质设计，与国内头部代工厂达成战略合作，在24纳米及19纳米等工艺节点开展SLC和MLC NAND产品开发。目前，SLC NAND产品已进入回片验证阶段，计划2026年下半年导入客户；MLC NAND Flash研发工作亦在正常推进中。
在企业级市场，佰维存储聚焦数据中心、云计算及AI服务器等高吞吐、高可靠场景，持续加大研发投入与市场拓展。公司深化与联想等一线OEM厂商的合作，促进长期框架达成，并同步推进与互联网云厂商的业务落地，已实现涵盖PCIe SSD、SATA SSD等产品的批量供货。
财报数据显示，佰维存储2024年上半年实现营业收入155.75亿元，同比增长298.1%；归属于上市公司股东的净利润71.66亿元，同比扭亏为盈。业绩增长主要得益于AI算力爆发及存储行业进入高景气周期，公司产品结构和客户结构持续优化，同时在芯片设计、解决方案、先进封测及测试设备等领域的投入不断增强，进一步提升了市场竞争力。