9月20日，在2026世界制造业大会上，长鑫科技正式对外发布了其第五代DRAM技术平台（G5），并同步展示了基于该平台打造的大容量LPDDR5X内存新品。与此同时，长鑫科技在8月底宣布量产的LPDDR6产品也首次在大会上亮相，引起了业界的广泛关注。
长鑫科技副总裁骆晓东在开幕式上介绍，G5平台已实现量产，并全面进入国产主流旗舰手机市场。该平台采用了创新的四重曝光技术，将有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产制程。通过变革工艺流程、采用新材料，存储电容深宽比达到了45:1。此外，开发适配DRAM工艺的高介电常数金属栅工艺，成功将核心功能区高度缩小至6762纳米。值得一提的是，研发过程中引入了AI大模型和全流程数字孪生仿真技术，大幅提升了研发效率。在性能上，微缩工艺的突破带来了存储密度的跨越式提升，每片晶圆产出裸片数量较第四代平台提升至少50%，在产品能效和成本控制方面均具备显著优势。
本次大会展出了两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代提升50%。产品分别采用496Ball和245Ball封装规格，能够适配中高端智能手机及便携式消费电子等不同场景需求，目前均已进入规模量产阶段。现场工作人员介绍，该产品即第五代超低功耗双倍数据速率同步动态随机存储器，主要应用于智能手机、可穿戴设备、平板电脑等移动终端。凭借长鑫最新自研技术的支持，该产品在核心性能上实现了全维度升级，目前已推出两类封装规格，率先适配智能手机场景，并持续迭代丰富产品矩阵。
长鑫科技近年来技术升级飞速。骆晓东回顾称，2019年世界制造业大会上公司首颗自主研发的DDR4内存芯片投产，打破了海外垄断。此后，公司完成了从第一代到第四代技术平台的迭代，实现了DDR5量产。近期，公司与小米宣布全球首发量产先进的低功耗存储器，研发生产水平已跻身全球前列。
8月底，长鑫科技LPDDR6落地小米玄戒O3芯片的消息曾引发市场热议。此次大会上，LPDDR6芯片首次公开展出。据长鑫科技透露，该产品已实现量产，并首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。这是中国存储企业首次在高端内存标准上实现全球首发量产，最高传输速率达12800Mbps，较上一代LPDDR5X提升约20%，功耗降低20%，通过设计和工艺创新，大幅提升了产品的可靠性与性能。
此外，展会现场还展示了全球首款由中兴通讯与字节跳动联合研发的AI智能体手机“豆包手机”。据官方消息，努比亚NaviX Ultra搭载了长鑫最高速率10667Mbps的LPDDR5X内存，这是国产10667Mbps高速率LPDDR5X芯片首次量产应用。