当地时间8月27日，SK海力士为其位于美国印第安纳州的先进存储器封装工厂举行了奠基仪式。
CEO Kwak Noh-Jung表示，到2030年工厂将使印第安纳州成为“美国关键的HBM生产基地”，预计当前的存储芯片供应短缺将持续至2030年底。
不过，市场反应平淡。截止发稿，韩股SK海力士跌超1%.
SK海力士美国首座工厂奠基
这座总投资超40亿美元的工厂将成为SK海力士在美国的首个HBM封装基地。
事实上，早在4月，SK海力士就已启动印第安纳州项目施工，周四举办的奠基仪式属于正式开工活动。
按照规划，工厂将采用”韩国造晶圆、美国做封装“的联动模式，计划于2028年10月启用洁净室、2029年下半年启动新一代HBM量产。
Kwak Noh-Jung放话称，到2030年，这座工厂将使印第安纳州成为”美国关键的HBM生产基地”，公司在美投资及资产总额届时将超过450亿美元。
目前，项目已获得美国《芯片与科学法案》支持，最高可享4.58亿美元直接拨款与5亿美元贷款，投产后预计创造约1000个直接岗位。
SK海力士称，项目初期会从韩国临时调配员工，长期岗位则计划招录美国本土人员。
据悉，公司已与普渡大学签署先进封装研发合作谅解备忘录，计划在美国中西部吸纳顶尖半导体人才。
Kwak Noh-Jung表示，美国与SK海力士正式携手开启人工智能的全新未来。
印第安纳州共和党州长Mike Braun将该项目称为“印第安纳州史上规模最大的开发项目”，也是 “全美同类项目中的首创”。
参议员Todd Young更直言”40亿美元只是首期投入”，他有充分把握SK海力士会继续加码，还透露已与SK集团会长崔泰源直接沟通。
存储短缺将延续至2030年底
建厂之外，SK海力士的合作棋局同步铺开。
Kwak Noh-Jung透露，正研究深化与日本铠侠合作的各种方式，但关于目前间接持有的铠侠权益，“尚无任何既定计划”。
目前，SK海力士通过贝恩资本旗下的投资工具间接持有铠侠的相当一部分权益。根据此前协议，未经铠侠同意，其投票权在2028年前不得超过15%。
据悉，公司正在评估旗下美国NAND 子公司Solidigm的上市可能性，不过相关Pre-IPO融资传闻尚未得到确认。
与此同时，公司与三星电子、高通合作，共同推进高带宽计算(HBC)芯片的商业化。
更早前，SK海力士还与英伟达联合研发存储产品，其产品将搭载于英伟达Vera Rubin平台。
Kwak Noh-Jung强调，AI旺盛需求导致全球HBM严重供不应求，短缺局面预计将延续至2030年底。
“即便下行到来，需求也不会急剧减少，更可能是有所放缓或维持在计划水平。”
言下之意，存储行业的这轮超级周期，远比多数人预期的更长久。
就在SK海力士大规模开展合作之际，韩美芯片合作也在升温。
Todd Young强调，《芯片与科学法案》的初衷不是脱钩，而是与韩国等盟友实现供应链多元化。
“美韩关系十分稳固，未来还会进一步深化。”
不过，狂欢之下亦有隐忧。
目前，SK海力士内部的劳资角力正在升温。
周五，SK海力士正式承认新成立的”海力士综合工会”合法身份，但公司明确其在本轮薪资谈判中不具备协商资格。
此前，原工会成员否决了含6.3%加薪与利润分红调整的临时协议，资方被迫重启谈判。
业内消息称，协议被否后新工会会员持续增长，公司内部劳资格局恐进一步分化，绩效奖金机制大概率仍是双方争议的核心。
此外，存储芯片价格上涨有可能延缓产能扩建节奏。
去年下半年，DRAM价格已上涨64%，集邦咨询预计今年涨幅将达260%。
LS 证券研究中心负责人申正浩表示，如果存储芯片涨价推高人工智能基础设施的建设成本，大型科技企业或将难以维持当前的投资节奏。
“倘若成本转嫁至终端客户，也会拖累人工智能数据中心项目的投资回报率。”