拓荆科技今日（8月20日）发布了2026年半年度财报。数据显示，公司上半年实现营业收入29.13亿元，同比增长49.06%；归属于上市公司股东的净利润达到13.43亿元，同比大增1324.1%。其中，Q1净利润为5.71亿元，Q2为7.72亿元，环比增长35%。
关于业绩增长动力，拓荆科技指出，公司始终坚持自主创新，持续加大在先进制程领域新产品、新工艺的研发与量产推广力度。凭借高质量、高性能的产品优势，多项先进产品成功通过客户验证，从而推动了业务规模和收入的快速扩张。此外，交易性金融资产公允价值变动收益较上年同期增加了约9.60亿元，进一步增厚了利润。
在产品表现方面，PECVD系列设备凭借稳定性、高产能及优异的薄膜工艺指标持续保持竞争优势，ONO叠层、ACHM系列等应用于先进存储和逻辑领域的工艺产品已进入规模化量产阶段，OPN、SiB及PECVD Bianca等产品亦在扩大规模并实现收入转化。ALD系列设备在先进存储领域的量产规模快速攀升，多台PE-ALD SiO2、SiCO设备完成客户重复订单验证。截至上半年末，拓荆科技累计出货超过3800个反应腔，包括480余个新型反应腔pX和Supra-D，进入约100条生产线。其薄膜沉积设备在客户端产线的平均稳定运行时间（Uptime）超过90%，累计流片量约6亿片。
盈利能力方面，随着生产规模效应释放及新产品量产应用，公司有效降低了单位生产成本。上半年营业成本同比增长29.24%，增幅低于营收增速，推动毛利同比增加约5.70亿元，毛利率提升至41%，同比提高约9个百分点。
研发进展方面，拓荆科技正积极推进三维集成设备开发，已推出混合键合、熔融键合设备及其配套量检测设备。上半年，公司在芯片对晶圆熔融键合、键合界面空洞修复等技术上取得突破，并拓展了多个新客户，产品覆盖先进存储、逻辑及图像传感器等领域。
基建方面，拓荆科技沈阳二厂（高端半导体设备产业化基地）已完成主体结构封顶。该项目总建筑面积超15万平方米，规划建设内容包括高标准洁净间、智能仓储库房及先进测试实验室等，预计于2028年建成投产，将大幅提升公司高端半导体设备产能。
公司还宣布拟向全体股东每10股派发现金红利3.5元（含税），不送红股也不进行资本公积转增股本。据SEMI统计，全球半导体制造设备市场持续向好，预计2026年至2028年销售额将分别达到约1439亿美元、1753亿美元和2000亿美元。