《科创板日报》8月5日讯，当地时间8月4日，三星电子在美国加州圣克拉拉举办的未来存储与内存大会上，正式对外展示了zHBM和zNAND-O两款全新的概念产品。
三星电子首席技术官宋载赫解释称，产品名称中的“z”代表Z轴，寓意着将HBM或NAND沿垂直方向进行堆叠。其中，zHBM是将高带宽内存直接垂直堆叠在AI加速器芯片之上，预计其性能将达到下一代HBM5的8倍。在传统设计中，HBM内存与AI芯片通过硅中介层进行2.5D封装。而zHBM通过最大限度地缩短AI处理器与内存间的数据传输距离，从而提供更高的带宽和能效，满足大规模AI训练和推理对超快速数据处理的需求。
三星宣称，结合下一代晶圆键合技术，zHBM的内存密度可达HBM5的10倍以上，能效提升3倍，且热阻降低逾50%。关于量产时间，三星预计将在2029年前后实现，目前尚未公布具体时间表。
与zHBM同步推出的zNAND-O是一款专为端侧AI设计的高性能NAND闪存解决方案。该产品融合了V-NAND垂直堆叠技术与硅通孔（TSV）技术，采用3D封装形式，目标量产时间为2028年，提供四层和八层两种版本。凭借高空间利用率和响应速度，该技术能够支持移动及端侧设备中的实时大规模数据处理。从技术路径上看，zNAND-O与SK海力士的HBF概念相似，两者均为采用TSV技术的NAND闪存。不过，三星方面澄清，HBF主要定位为填补服务器端AI加速器旁侧的内存分层空缺，而zNAND-O则是面向端侧设备存储大型模型。
此外，三星还发布了V10 BV-NAND，这是首款采用晶圆键合架构的3D NAND产品。晶圆键合技术是将单元和电路分别制造后进行垂直连接的一种方法。通过将其与三层堆叠技术结合，V10 BV-NAND实现了超过400层的堆叠。相比上一代V9产品，其存储密度提升了约58%。
当前，各大存储巨头正加速推动技术演进，以应对日益增长的AI推理需求。就在昨日，SK海力士与闪迪宣布推出高带宽闪存（HBF）的行业首套标准规范，旨在推动HBF标准化，满足AI推理时代的需要。招商证券分析认为，存储优化技术虽看似降低单设备内存用量，实则通过最大化单位内存承载的上下文量与用户数，来改善AI服务的经济性，扩大整体市场规模，从而形成推动存储需求增长的正向循环。