在德意志银行2026年科技大会上，英特尔首席财务官David Zinsner抛出了一则令人振奋的消息。他透露，Intel 14A（1.4纳米级）制程的缺陷密度下降速度不仅超出了公司预期，更创下了自22纳米工艺以来的最佳纪录。Zinsner直言：“自22nm以来，我从未见过这样的表现。”他补充道，22nm工艺可以说是英特尔有史以来最出色的制程节点之一。这一表态无疑释放了一个强烈信号：英特尔正在重新找回当年“领先对手两年”的节奏。
Zinsner在会上进一步解释，14A工艺在缺陷追踪方面优于预期目标曲线，其在消除缺陷方面的速度也优于此前任何节点。22nm工艺是英特尔首个采用FinFET晶体管的技术节点，于2011年试产、2012年量产，曾是英特尔制造霸权时代的标志性成就。相比之下，14A目前的缺陷减少轨迹，至少与2010年22nm开发初期的轨迹一样健康。根据规划，英特尔计划于2027年下半年启动14A工艺的风险生产，并于2028年实现大规模量产。
然而，这一乐观表态也需客观看待。首先，当前的14A缺陷密度未必等同于两年后量产时的22nm水平；其次，随着晶圆处理和检测设备的进步，如今定义的缺陷标准可能与16年前存在差异。此外，缺陷密度并不直接等同于最终产品的良率。
回顾22nm时代，那是英特尔制造实力最稳固、最具统治力的时期。彼时的英特尔并非仅仅是“领先半个身位”，而是在晶体管结构上实现了对行业的代际超越。2011年，英特尔宣布将Tri-Gate（三栅/三面栅）晶体管引入22nm量产，这是生产技术首次大规模采用3D晶体管。随后的2011年末至2012年初，基于22nm工艺的Ivy Bridge处理器开始量产，并于2012年4月上市，成为全球首个在消费级产品中大规模量产3D晶体管的工艺。
如今，面对GAAFET时代的挑战，英特尔已率先量产基于GAAFET的18A工艺，而14A也将采用第二代RibbonFET和第二代背面供电技术，并配合高数值孔径(EUV)光刻机。虽然GAAFET时代的工艺难度远高于当年的FinFET，但英特尔在14A缺陷密度降低方面取得的进展，无疑是一个积极的信号，表明其正在稳步推进制程复兴之路。