《科创板日报》8月11日讯，为保障下一代DRAM技术的量产落地，韩国存储芯片双雄SK海力士与三星正携手推进EUV光刻工艺的研发工作。
在近日举行的“下一代光刻+图案化”会议（NGL 2026）上，SK海力士副总裁透露，公司正在评估多重曝光EUV或引入高数值孔径（High-NA）单次曝光技术，旨在通过极致微工艺实现大规模生产。据悉，该公司已于今年全面启动相关技术攻关，并开始全面引入相移掩模版（PSM）等新型材料，以期显著提升EUV光刻性能。
相移掩模版（PSM）是半导体制造中不可或缺的关键材料，其作用是将设计好的电路图形通过光刻刻蚀等工艺转移至硅晶圆等基材上。作为掩模版的重要分支，PSM具备控制光强与光相位的能力，通过相消干涉抑制衍射伪影，从而充分释放高数值孔径EUV光刻的理论分辨率。
与此同时，另一韩国巨头三星电子也正加紧布局High-NA EUV技术。三星计划将此技术应用于存储芯片的量产环节。公司方面表示，预计从A10（1nm）及以下工艺节点起，就必须采用高数值孔径极紫外光刻技术，因此目前正在积极与合作伙伴开展联合研发。基于这一规划，三星预计将在实现2nm工艺商业化后，于2029年量产1.4nm工艺，并于2030年正式启动1nm工艺的量产。
值得注意的是，三星电子去年便曾尝试将PSM引入EUV光刻技术。当时公司高管指出，半导体制造技术正从二元掩模向PSM转变。由于二元掩模存在一定局限，市场对PSM的需求日益增长，公司正致力于将其应用于实际生产中。
民生证券分析认为，半导体掩模版是半导体材料领域的核心组成部分。2021年数据显示，其占全球半导体材料市场约12%，仅次于硅片和电子特气。目前，高端半导体掩模版市场主要被美国和日韩厂商垄断。随着中国在先进制程领域的不断突破，掩模版市场规模有望进一步扩大，这将为国产厂商带来巨大的发展机遇。