ASML与台积电达成战略合作，旨在通过技术革新大幅压降先进制程成本。9月7日，在加州蒙特雷举行的SPIE BACUS年会前夕，两家公司共同宣布启动一项全行业协作计划，致力于推动高数值孔径极紫外光刻（High NA EUV）光罩从6英寸向12英寸规格过渡。根据规划，行业将在2031年前建成12英寸掩模试验生产线，并于2033年前实现12英寸High NA光刻系统在先进节点的量产。
这一举措的商业逻辑清晰明确：更大的光罩面积将显著提升生产效率，并直接降低芯片制造成本。此外，新规格还能突破当前技术路线中的拼接限制，使芯片制造商能够更充分地挖掘High NA EUV技术的潜力。对于正大规模投入资金建设AI数据中心的科技巨头而言，先进制程成本的微小下降，都将转化为AI芯片性价比的显著提升。ASML总裁兼CEO Christophe Fouquet指出，未来几代更小、更快且更节能的芯片，都将从这一技术升级中受益。
台积电与三星已分别公布了各自的推进节奏：台积电承诺在2030年实现High NA技术的量产应用，而三星则计划更早一步，于2028年前将其应用于DRAM量产。台积电董事长魏志强对此评价道：“当整个行业携手攻克复杂难题时，所能释放的潜力将超越任何一家企业单打独斗所能达到的高度。”从AI数据中心到消费电子领域，芯片成本始终是决定技术普及速度的关键因素。随着光刻技术迈入12英寸时代，其带来的红利将不仅局限于台积电或三星，而是惠及整个AI算力产业链。