《科创板日报》9月1日讯，人工智能建设热潮正在强力拉动高带宽内存（HBM）的需求，导致传统DRAM供给被挤压，内存短缺问题加剧。据韩媒最新披露，三星存储业务部门已将2031年前约70%的产能锁定在长期订单上，签约对象涵盖英伟达、微软及谷歌等科技巨头。然而，即便是这些大客户也难以获得合约承诺的全部供货量，HBM市场的抢货现象异常激烈，进而推动现货价格持续暴涨。
据内存市场研究机构MegaGrid Supply的数据，一块36GB的HBM3E产品，现货售价已高达2100美元（约合287万韩元），这一价格是长期合同价格（50万至70万韩元）的4到5倍。此外，目前正处于量产准备阶段的16层HBM4产品，若通过现货市场而非长期合同购买，其交易价格更是达到了3500美元（约合480万韩元）。
内存供应压力正从HBM领域向普通DRAM扩散。随着向英伟达等大型科技客户供应HBM4的规模不断扩大，HBM生产占用了大量DRAM产能，进一步推高了DRAM价格。同时，HBM4尚处于量产初期，良率不及上一代HBM3E，且生产过程需要消耗更多DRAM晶圆，这导致整体DRAM供应短缺状况进一步恶化。
针对短期内难以解决的存储器短缺问题，三星电子和SK海力士正多管齐下寻求产能扩张。三星设备解决方案部门正在评估，计划最快于2027年将平泽园区的晶圆代工产线S5转型为存储生产线。此外，据业内消息，SK海力士在扩建龙仁和湖南地区生产基地的同时，也在考虑与日本合作伙伴建立合资工厂，业界普遍关注其是否会进一步扩大与铠侠的合作。
随着内存短缺加剧及价格上涨，三星电子和SK海力士有望迎来创纪录的盈利。金融投资行业分析师预测，两家公司第三季度的业绩将再创新高。根据近期市场预测，三星电子第三季度营收预计将达到206.64万亿韩元，营业利润预计为116.38万亿韩元，分别远高于第二季度的171.50万亿韩元和89.49万亿韩元。SK海力士方面，预计第三季度营收为101.76万亿韩元，环比增长28.2%；营业利润为79.16万亿韩元，环比增长30.7%。
韩国半导体产业协会执行董事安基铉表示：“解决芯片短缺问题需要建设更多生产工厂，即便计划中的新工厂顺利投产，也只能在一定程度上缓解短缺，而无法彻底消除这一困境。”