海力士美股上市后,另一家存储芯片巨头长鑫科技也即将登陆A股。

鼓狮财经获悉,科创板新股长鑫科技(688825)将于7月16日申购,发行总数66.88亿股,占发行后总股本的10%,发行价格8.66元/股,发行市盈率308.92倍,高于76.32倍的行业最近一个月平均静态市盈率,也高于同行业可比公司2025年扣除非经常性损益后的平均静态市盈率134.62倍。

主营业务与长鑫科技相近的可比上市公司估值水平具体情况,图片来源于发行公告

作为国内DRAM存储芯片龙头,长鑫科技的上市有助于补齐国产存储短板、提升我国存储芯片产业的自主可控水平,这种硬科技新股有稀缺性溢价。

按发行价计算,长鑫科技对应估值约5792亿元,较此前市场预期的1万亿至3万亿市值有明显折价,具备较强的打新安全边际,而且其发行规模较大,将会是今年比较好中签的大A新股,值得积极参与打新申购。

值得注意的是,长鑫科技上市后,资金将持续向行业龙头集中,一些中小存储概念股,以及没有核心技术的蹭热点企业将逐渐被市场边缘化,部分公司或面临估值回调压力。

1

预计最高募资达666亿元!为2026年A股最大IPO

长鑫科技的募资额已超过7月2日上市的华润新能源(募资总额约213亿元),成为2026年A股最大的IPO项目。

本次科创板IPO,长鑫科技拟募集资金约295亿元,按每股8.66元的发行价计算,超额配售选择权行使前,预计募集资金总额约579亿元;如果超额配售选择权全额行使,则约666亿元。

招股书显示,长鑫科技募集资金扣除发行费用后的净额,将用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。

长鑫科技的募资额将超过2020年上市的中芯国际,也有可能超过2007年上市的建设银行和中国神华,有望成为A股历史上第三大IPO,仅次于农业银行、中国石油。

从历史数据来看,这种大型新股上市首日几乎都能收涨,但涨幅一般不会很高。像华润新能源上市首日涨幅约137%,低于2026年上半年大A新股上市首日280%的平均涨幅。

2

为国产DRAM存储芯片龙头,与三星电子、SK海力士和美光科技竞争

长鑫科技专注DRAM产品的研发、设计、生产及销售,其在合肥、北京两地共拥有3座12英寸DRAM晶圆厂,产能规模位居中国第一、全球第四。

DRAM是现代信息技术和数字信息产业发展的重要基石,广泛应用于数据中心、移动设备及终端、通信、智能制造等领域。

从产业链来看,DRAM产业链上游包括IP、EDA、半导体设备及零部件、材料等,参与者包括雅克科技、广钢气体、安集科技、北方华创、中微公司、拓荆科技、盛美上海。

中游则包括DRAM设计、晶圆制造及封装测试环节,是产业链中的核心环节。

从竞争格局来看,三星电子、SK海力士和美光科技这三大DRAM厂商长期占全球90%以上的市场份额。作为国产DRAM存储芯片龙头,基于Omdia数据测算,按2025年第四季度DRAM销售额统计,长鑫科技的全球市场份额为7.67%。

下游则主要包括服务器、移动设备、个人电脑、通信、工业控制、智能家居等应用领域。据Omdia统计,2025年全球DRAM下游应用领域中,服务器、移动设备、个人电脑、智能汽车市场需求占比分别约50%、28%、13%和2%。

图片来源于招股书

长鑫科技的直接客户主要为半导体行业知名经销商,终端客户主要为服务器、移动设备、个人电脑等下游应用领域的大型厂商,包括阿里云、字节跳动、腾讯、传音、联想、小米、荣耀、vivo、OPPO等。

2023年至2025年(简称“报告期”),长鑫科技主营业务中向前五大客户合计销售额占当期主营业务收入的比例分别为74.12%、67.30%和68.08%,客户集中度相对较高,主要由于公司下游市场需求相对较大且市场相对集中,同时公司主要通过经销模式由少量经销商对接终端客户所致。

3

预计2026年业绩大幅增长,面临DRAM行业周期性波动风险

在全球DRAM产品供不应求、价格大幅上涨的背景下,近两年长鑫科技的营收增长很快。

2023年、2024年、2025年,长鑫科技的营业收入分别约90.87亿元、241.78亿元、617.99亿元,对应的净利润分别约-192.25亿元、-90.51亿元、71.44亿元。

2026年1-3月,长鑫科技的营业收入较2025年1-3月同比增长719.13%,净利润更是同比增长1268.45%。

随着DRAM行业产品价格的持续快速上涨,以及公司产销规模的持续增长、产品结构的不断优化,长鑫科技预计2026年1-6月营业收入约1100亿元至1200亿元,同比增长612.53%至677.31%;预计净利润约660亿元至750亿元,同比增长1714.67%至1934.85%。

图片来源于招股书,单位为万元

尽管业绩大幅增长,但长鑫科技仍存在累计未弥补亏损的风险,截至2025年末,公司累计亏损约366.5亿元。

由于DRAM行业具有规模导向属性与极高的技术门槛,为增强产品的市场占有率,公司需要持续提升产能规模,厂房及产线建设需要高额的固定资产投入,对应固定资产折旧金额较大,而公司处于产能快速爬坡阶段。

同时,长鑫科技得持续进行产品和工艺技术的研发迭代,来实现对国际先进水平的追赶、提升产品竞争力。报告期各期,公司研发费用率分别为49.75%、19.06%和15.52%,高于可比公司平均水平。

报告期各期,长鑫科技的主营业务毛利率分别为-2.19%、5%和41.02%,呈上升趋势,但公

司毛利率水平与国际前三家厂商相比仍较低。

一方面,受公司持续进行大额固定资产及研发投入带来的折旧及摊销金额较高、规模效应尚未完全显现等因素影响,产品生产成本较高;另一方面,长鑫科技的工艺技术水平等与三星电子、SK海力士及美光科技相比仍有一定差距,产品结构处于持续优化状态。

近年来,海量数据处理需求驱动全球DRAM市场规模快速增长。据Omdia数据,全球DRAM市场规模有望从2025年的1505亿美元增长至2030年的5710亿美元,年均复合增长率为30.56%。

数据来源于Omdia,图片来源于招股书

其中,中国在全球DRAM市场中占有重要份额。据Yole数据,2024年中国DRAM市场规模约为250亿美元,占全球DRAM市场规模的比重超过四分之一。但中国在该领域长期高度依赖进口,DRAM本土厂商仍有广阔的市场空间。

值得注意的是,DRAM行业受市场供需波动影响较大,具有周期性特征。

2025年下半年以来,受人工智能发展带来的DRAM需求增长、全球主要厂商产能调配等因素影响,全球DRAM产品供不应求,带动产品价格上涨。

数据来源于Omdia,图片来源于招股书

当前人工智能产业正处于基础设施集中投资建设期,但其商业化应用仍处于持续拓展过程中,长鑫科技报告期内相关领域内的收入占比相对较低。未来如果人工智能规模化应用落地不及预期,或头部云厂商资本开支节奏放缓,可能对DRAM市场需求增长不利。

整体而言,长鑫科技的上市是我国半导体存储产业,以及A股科技资本市场的关键里程碑事件,不仅填补了A股市场DRAM存储原厂核心资产空白,还影响着全球DRAM市场竞争格局。未来,长鑫科技能否通过持续的技术迭代、产能扩张和规模化来提升竞争力,鼓狮财经将持续关注。

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